AIX G5 WW C CVD化合物化学气相沉积系统是面向6 英寸 SiC 功率器件量产的行星式 MOCVD 设备，主打高产能、高均匀性与低成本，是车规级碳化硅外延的主流量产机型。
AIX G5 WW C CVD化合物化学气相沉积系统关键配置与技术参数
晶圆规格：标准 8×150 mm（6 英寸）批量配置，支持单晶圆独立旋转；可灵活切换 4 英寸方案；
热传输与控温：高温晶圆传输（Hot Wafer Transfer），避免冷启动耗时；晶圆级独立温控 + AutoSat 批次均匀性优化技术，实现膜厚 / 掺杂 σ<2% 的严苛一致性；
自动化：卡匣到卡匣全自动化装卸，颗粒污染极低（典型缺陷 < 0.02/cm?）；配备反应腔组件缓冲站，支持 7×24 小时连续生产；
工艺效率：高温取放（600℃而非室温），显著减少升降温时间，生产效率提升约 50%；反应腔气体利用率高，降低三甲基铝（TMA）等 MO 源消耗，摊薄每片晶圆成本；
工厂集成：标准 SECS-GEM MES 接口，无缝接入 Fab 自动化管理系统。
化学气相沉积系统
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